[发明专利]静电放电保护结构

摘要

静电放电保护结构，包括基底、接点区、第一金属氧化物半导体元件、第二金属氧化物半导体元件、第一掺杂区以及第二掺杂区。接点区位于基底中。第一金属氧化物半导体元件包括具有第一导电型的第一漏极区，位于基底中。第二金属氧化物半导体元件包括具有第一导电型的第二漏极区，位于基底中。第一漏极区较第二漏极区接近接点区。第一和第二掺杂区均具有第二导电型，分别位于对应的第一和第二漏极区下方。第一掺杂区的面积和/或掺杂浓度大于第二掺杂区的面积和/或掺杂浓度。通过改变掺杂区的面积/掺杂浓度，可修正掺杂区与接点区距离不同造成的差异，使不同区域各寄生双极性晶体管（BJT）的崩溃电压大致相同，便可使各BJT导通时间几乎一致。

主权项

1.一种静电放电保护结构，其特征在于包括：基底；接点区，位于所述基底中；第一金属氧化物半导体元件，位于所述基底上，包括具有第一导电型的第一漏极区；第二金属氧化物半导体元件，位于所述基底上，包括具有所述第一导电型的一第二漏极区，其中所述第一漏极区较所述第二漏极区接近所述接点区；第一掺杂区，具有第二导电型，位于所述第一漏极区下方；以及第二掺杂区，具有所述第二导电型，位于所述第二漏极区下方，其中所述第一掺杂区的面积大于所述第二掺杂区的面积。