[发明专利]用于制造碳化硅半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201310295979.5 | 申请日： | 2013-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN103681259A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 河田泰之;米泽喜幸 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张鑫 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 包含Si的气体、包含C的气体和包含Cl的气体被引入反应燃烧炉(步骤S5)。接着，在步骤S5引入的包含原始材料气体、添加剂气体、掺杂气体和运载气体的气体气氛中，通过CVD方法在4H-SiC衬底的表面上生长SiC外延膜(步骤S6：第一步骤)。在此场合中，包含Cl的气体相对于含Si的气体的引入量被逐渐减少(第二步骤)。在生长开始时气体气氛的合成物中，包含Cl的气体中Cl原子的数目大至包含Si的气体中Si原子的数目的三倍。在第二步骤中，气体气氛中包含氯的气体中氯原子的数目相对于包含硅的气体中硅原子的数目以0.5％/分钟至1.0％/分钟的速率减小。因而，可能提供用于制造碳化硅半导体器件的方法，藉由该方法碳化硅半导体膜可以高速率生长。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 碳化硅 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造碳化硅半导体器件的方法，包括：第一步骤，将碳化硅半导体衬底暴露于气体气氛，以便在所述碳化硅半导体衬底上生长碳化硅半导体膜，在所述气体气氛中包含氯的气体被添加到包含硅的气体和包含碳的气体；以及第二步骤，在所述碳化硅半导体膜的所述生长期间，在所述气体气氛中逐渐减少所述包含氯的气体相对于所述包含硅的气体的引入量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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