[发明专利]半导体器件的制造方法有效
申请号: | 201310298717.4 | 申请日: | 2009-05-27 |
公开(公告)号: | CN103367176A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 太田祐介;杉山道昭;石川智和;冈田三香子 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/60;H01L23/498;H01L23/31;H01L25/065;H01L25/10 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 申发振 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种具有改善了的可靠性的半导体器件及半导体器件的制造方法。半导体器件包括:布线板;通过金凸起被倒装片键合到布线板之上的微型计算机芯片;层叠于微型计算机芯片之上的第一存储器芯片;用于将第一存储器芯片耦接到布线板的布线;用来填充微型计算机芯片的倒装片接合部分的底部填充材料;和用于用树脂密封微型计算机芯片和第一存储器芯片的密封部件。另外,使与填充底部填充材料过程中的排气侧的芯片的角部相对应的布线板的阻焊剂膜的第二开口部分的角部靠近微型计算机芯片,这能够改善在第二开口部分处底部填充材料的润湿性和扩展性,从而减少引线在第二开口部分处的暴露,由此改善半导体器件的可靠性。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体器件的制造方法,包含以下步骤:a、提供布线衬底,该布线衬底包括上表面、形成于该上表面上的多个键合引线、形成于所述上表面之上的绝缘膜,使得所述键合引线从形成于所述绝缘膜中的开口暴露;b、将包括前表面、形成于该前表面上的多个焊盘、和后表面的半导体芯片以所述前表面对着所述上表面的方式,通过多个突出电极而安装于所述布线衬底的所述上表面之上,其中,所述后表面与所述前表面相反;以及c、用密封材料在所述半导体芯片的所述前表面与所述布线衬底的所述上表面之间密封,其中,所述布线衬底的所述上表面在平面图中的形状由四边形构成,该四边形具有第一衬底边、面对所述第一衬底边的第二衬底边、位于所述第一衬底边与所述第二衬底边之间的第三衬底边、以及面对所述第三衬底边的第四衬底边;其中所述键合引线在平面图中沿着所述第一、第二、第三和第四衬底边中的每一个设置;其中所述开口在平面图中的形状由环构成,该环具有内周边和外周边,所述外周边在平面图中比所述内周边更靠近外围部分;其中,所述半导体芯片的所述前表面在平面图中的形状由具有第一芯片边、面对所述第一芯片边的第二芯片边、位于所述第一芯片边与所述第二芯片边之间的第三芯片边、面对所述第三芯片边的第四芯片边、所述第一芯片边与所述第三芯片边交叉的第一芯片角部、与所述第一芯片角部相反的第二芯片角部、所述第二芯片边与所述第三芯片边交叉的第三芯片角部、以及与所述第三芯片角部相反的第四芯片角部的四边形构成;其中,在步骤b中,所述半导体芯片安装于所述布线衬底上,使得所述第一、第二、第三和第四芯片边被设置为分别与所述第二、第 一、第三和第四衬底边靠近,并且使得所述第一、第二、第三和第四芯片边在平面图中被设置在所述内周边和所述外周边之间,并且使得所述第一芯片角部与所述开口的第一开口角部之间的距离大于所述第二芯片角部与所述开口的第二开口角部之间的距离,其中所述第一开口角部沿着从所述第一芯片角部到所述第二芯片角部延伸的第一方向与所述第一芯片角部相邻,所述第二开口角部沿着所述第一方向与所述第二芯片角部相邻,并且使得所述第三和第四芯片角部与所述开口的第三和第四开口角部之间的距离小于所述第一芯片角部与所述第一开口角部之间的距离,且大于所述第二芯片角部与所述第二开口角部之间的距离,其中所述第三和第四开口角部分别沿着从所述第三芯片角部到所述第四芯片角部延伸的第二方向与所述第三和第四芯片角部相邻;其中,所述开口的所述外周边具有第一、第二、第三和第四开口边,所述第一开口边在平面图中从所述第一开口角部延伸且沿着所述第三衬底边延伸,所述第二开口边在平面图中从所述第二开口角部延伸且沿着所述第四衬底边延伸,所述第三开口边在平面图中从所述第一开口角部延伸且沿着所述第二衬底边延伸,所述第四开口边在平面图中从所述第二开口角部延伸且沿着所述第一衬底边延伸;其中,所述第一开口边的长度小于所述第三芯片边的长度的一半,所述第二开口边的长度小于所述第四芯片边的长度的一半,所述第三开口边的长度小于所述第一芯片边的长度的一半,且所述第四开口边的长度小于所述第二芯片边的长度的一半;并且其中,在步骤c中,所述密封材料从在平面图中由所述第一芯片角部、所述第一开口角部、所述第一开口边和所述第三开口边围绕的区域被供应到所述半导体芯片与所述布线衬底之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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