[发明专利]ECR-PEMOCVD在自支撑金刚石厚膜上低温沉积InN薄膜的制备方法

摘要

本发明属于新型光电材料沉积制备技术领域，提供一种可制备电学性能良好、散热性能良好的InN光电薄膜的ECR-PEMOCVD在自支撑金刚石厚膜上低温沉积InN薄膜的制备方法。本发明包括以下步骤：1）将自支撑金刚石厚膜基片依次用丙酮、乙醇、去离子水超声波清洗后，用氮气吹干送入反应室；2）采用ECR-PEMOCVD系统，将反应室抽真空，基片加热至20～600℃，再向反应室内通入氢气携带的三甲基铟、氮气，三甲基铟与氮气流量比为（1～2）：（100～200），控制气体总压强为0.8～2.0Pa，电子回旋共振反应30min～3h,得到在自支撑金刚石厚膜基片的InN光电薄膜。

主权项

ECR‑PEMOCVD在自支撑金刚石厚膜上低温沉积InN薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1）将自支撑金刚石厚膜基片依次用丙酮、乙醇、去离子水超声波清洗后，用氮气吹干送入反应室；2）采用ECR‑PEMOCVD（电子回旋共振‑等离子体增强金属有机物化学气相沉积，可采用中国专利号为01101424.5，名称为《电子回旋共振微波等离子体增强金属有机化学汽相沉积外延系统与技术》中公开的设备）系统，将反应室抽真空，基片加热至20～600℃，再向反应室内通入氢气携带的三甲基铟、氮气，三甲基铟与氮气流量比为（1～2）：（100～200），控制气体总压强为0.8～2.0Pa，电子回旋共振反应30min～3h, 得到在自支撑金刚石厚膜基片的InN光电薄膜。