[发明专利]ECR-PEMOCVD系统对InN/AlN/自支撑金刚石膜结构的制备方法

摘要

本发明属于新型光电材料沉积制备技术领域，提供一种可低温制备电学性能良好的InN光电薄膜的ECR-PEMOCVD系统对InN/AlN/自支撑金刚石膜结构的制备方法。本发明包括以下步骤：1）将自支撑金刚石膜基片依次用丙酮、乙醇、去离子水依次超声波清洗后，用氮气吹干送入反应室；2）采用ECR-PEMOCVD系统，将反应室抽真空，加热基片，向反应室内通入氢气携带的三甲基铝、氮气，控制气体总压强，电子回旋共振反应得到在自支撑金刚石膜基片的AlN缓冲层薄膜，AlN缓冲层薄厚度为20～80nm。

主权项

ECR‑PEMOCVD系统对InN/AlN/自支撑金刚石膜结构的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1）将自支撑金刚石膜基片依次用丙酮、乙醇、去离子水依次超声波清洗后，用氮气吹干送入反应室；2）采用ECR‑PEMOCVD系统，将反应室抽真空，加热基片，向反应室内通入氢气携带的三甲基铝、氮气，控制气体总压强，电子回旋共振反应得到在自支撑金刚石膜基片的AlN缓冲层薄膜，AlN缓冲层薄厚度为20～80nm；3）继续采用ECR‑PEMOCVD系统，将反应室抽真空，将基片加热至20℃～500℃，向反应室内通入氢气携带的三甲基铟、氮气，三甲基铟与氮气流量比为（2～3）：（100～200），控制气体总压强，电子回旋共振反应30min～3h，得到在AlN/自支撑金刚石膜结构上的InN光电薄膜。