[发明专利]闪存的位线选择管电路

摘要

本发明公开了一种闪存的位线选择管电路，包括第一PMOS管，第二NMOS管，第三NMOS管，第四NMOS管；第一PMOS管的源极接电源电压，第一PMOS管的漏极接第二NMOS管的漏极，第二NMOS管的源极、第三NMOS管的栅极和第四NMOS管的漏极连接在一起，第四NMOS管的源极接地，第一PMOS管和第四NMOS管的栅极都接位线选择信号，第二NMOS管的栅极连接电源电压；第三NMOS管的漏极连接位线电压源，源极连接位线。本发明使得闪存在读操作时不用启动电荷泵就能在位线的传输管栅极上产生一个比电源电压高的电压，节省了电荷泵这部分的功耗，让闪存能够满足非接触应用下的读功耗要求。

主权项

一种闪存的位线选择管电路，位线选择管电路为闪存的存储单元的位线提供电压，其特征在于，所述位线选择管电路包括：第一PMOS管，第二NMOS管，第三NMOS管，第四NMOS管；所述第一PMOS管的源极接电源电压，所述第一PMOS管的漏极接所述第二NMOS管的漏极，所述第二NMOS管的源极、所述第三NMOS管的栅极和所述第四NMOS管的漏极连接在一起，所述第四NMOS管的源极接地，所述第一PMOS管和所述第四NMOS管的栅极都接位线选择信号，所述第二NMOS管的栅极连接所述电源电压；所述第三NMOS管为位线电压传输管，所述第三NMOS管的漏极连接位线电压源，所述第三NMOS管的源极连接所述闪存的存储单元的位线，所述第三NMOS管接通时从所述位线电压源将位线电压传输到所述位线；所述第三NMOS管的耐压能力高于所述闪存的存储单元在擦或写操作时加在所述位线上的电压，所述第一PMOS管、所述第三NMOS管和所述第四NMOS管的阈值电压的绝对值大于0.8V，所述第二NMOS管的阈值电压的绝对值小于0.7V；在所述闪存的存储单元的读操作时，所述位线电压源提供读电压，所述位线选择信号为低电平时，所述第一PMOS管导通，所述第四NMOS管断开，所述第三NMOS管的栅极连接到所述电源电压，所述第三NMOS管的栅极电压由所述电源电压加上栅漏耦合电压决定，所述栅漏耦合电压为所述位线电压源通过所述第三NMOS管的栅漏电容耦合到所述第三NMOS管的栅极的电压，所述第三NMOS管的栅极电压大于所述读电压加上所述第三NMOS管的阈值电压时所述第三NMOS管将所述读电压传输到所述位线。