[发明专利]晶体管及晶体管的形成方法有效
| 申请号： | 201310299405.5 | 申请日： | 2013-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN104299994B | 公开（公告）日： | 2017-07-14 |
| 发明（设计）人： | 李凤莲;倪景华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/088;H01L21/336;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种晶体管及晶体管的形成方法，其中晶体管的形成方法包括提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面依次形成栅介质层、位于栅介质层表面的第一阻挡层和位于第一阻挡层表面的牺牲层；在所述半导体衬底表面形成层间介质层，所述层间介质层表面与所述牺牲层顶部平齐；去除所述牺牲层，形成凹槽；在所述凹槽内形成覆盖第一阻挡层的第二阻挡层，所述第二阻挡层的形貌与去除所述牺牲层后的第一阻挡层形貌互补；在所述第二阻挡层表面形成填充满凹槽的金属层，所述金属层表面与层间介质层顶部平齐。本发明降低了晶体管中栅极的漏电流，提高了晶体管的可靠性及电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面依次形成栅介质层、位于栅介质层表面的第一阻挡层和位于第一阻挡层表面的牺牲层；在所述半导体衬底表面形成层间介质层，所述层间介质层表面与所述牺牲层顶部平齐；去除所述牺牲层，形成凹槽，去除牺牲层形成所述凹槽的工艺为干法刻蚀工艺，去除牺牲层工艺完成后，第一阻挡层被部分刻蚀，第一阻挡层的剖面形貌为中间薄两边厚；在所述凹槽内形成覆盖第一阻挡层的第二阻挡层，所述凹槽为窄沟槽结构，所述第二阻挡层的形成工艺为物理气相沉积，形成的第二阻挡层在凹槽中间位置具有最大的厚度，而靠近凹槽侧壁的第二阻挡层厚度最薄，形成的第二阻挡层的剖面形貌为中间厚两边薄，所述第二阻挡层的形貌与去除所述牺牲层后的第一阻挡层形貌互补；在所述第二阻挡层表面形成填充满凹槽的金属层，所述金属层表面与层间介质层顶部平齐。
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