[发明专利]吸收峰位于1550nm的电荷转移复合物红外吸收材料无效
| 申请号： | 201310300057.9 | 申请日： | 2013-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN103342981A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 武思平;康滢;江楠;吕正红 | 申请（专利权）人： | 云南大学 |
| 主分类号： | C09K3/00 | 分类号： | C09K3/00;H01L51/46 |
| 代理公司： | 昆明祥和知识产权代理有限公司 53114 | 代理人： | 董昆生 |
| 地址： | 650091*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 吸收峰位于1550nm的电荷转移复合物红外吸收材料，属于有机光电材料领域，用于红外探测、有机发光二极管的吸收峰位于1550nm的电荷转移复合物红外吸收材料。本发明的吸收峰位于1550nm的电荷转移复合物红外吸收材料，其特征在于在蓝宝石衬底上蒸镀MoO3材料以及TCTA有机物，蒸镀层厚度为100nm，其中MoO3在蒸镀层中占的质量百分比为75wt%-83wt%。本发明的吸收峰位于1550nm的电荷转移复合物红外吸收材料，采用高浓度的MoO3材料与TCTA有机物共同蒸镀得到载流子转移复合物红外吸收材料，在光纤通信波长1500nm附近有较好的吸收强度。 | ||
| 搜索关键词： | 吸收 位于 1550 nm 电荷 转移 复合物 红外 材料 | ||
【主权项】：
一种吸收峰位于1550nm的电荷转移复合物红外吸收材料，其特征在于在蓝宝石衬底上蒸镀MoO3材料以及TCTA有机物，蒸镀层厚度为100nm，其中MoO3在蒸镀层中占的质量百分比为75wt%‑83wt%。
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