[发明专利]形成互连结构的方法及互连结构无效
申请号: | 201310300339.9 | 申请日: | 2013-07-17 |
公开(公告)号: | CN103579097A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | J·A·奥特;A·A·伯尔 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L23/532 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 贺月娇;于静 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及形成互连结构的方法及互连结构。在存在于衬底表面上的含铜结构的暴露的侧壁表面和最上表面上形成连续的石墨烯层。在含铜结构上所述连续的石墨烯层的存在减少了铜氧化和铜离子的表面扩散,因此提高了所述结构的抗电迁移性。使用石墨烯可以获得这些优点而不增加含铜结构的电阻。 | ||
搜索关键词: | 形成 互连 结构 方法 | ||
【主权项】:
一种形成互连结构的方法,包括:在衬底的表面上形成牺牲电介质材料;在所述牺牲电介质材料中形成暴露所述衬底的表面的一部分的至少一个开口;在所述至少一个开口中以及所述衬底的表面的暴露部分形成含铜结构;去除所述牺牲电介质材料的剩余部分;以及在所述含铜结构的暴露的侧壁表面和最上表面上形成连续的石墨烯层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司,未经国际商业机器公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310300339.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造