[发明专利]ECR-PEMOCVD系统对InN/GaN/自支撑金刚石膜结构的制备方法有效

专利信息
申请号: 201310300499.3 申请日: 2013-07-17
公开(公告)号: CN103352204A 公开(公告)日: 2013-10-16
发明(设计)人: 张东;鞠振河;孙笑雨;郑洪;李昱材;杜士鹏;王立杰;张晓慧;李双美;王刚;王健;刘莉莹;郭瑞;王帅杰;关新;高微;王宝石;衣云龙;金月新;张玉艳 申请(专利权)人: 沈阳工程学院
主分类号: C23C16/34 分类号: C23C16/34;C23C16/44
代理公司: 沈阳亚泰专利商标代理有限公司 21107 代理人: 史旭泰
地址: 110136 辽*** 国省代码: 辽宁;21
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明属于新型光电材料沉积制备技术领域,提供一种电学性能良好、散热性能良好的ECR-PEMOCVD系统对InN/GaN/自支撑金刚石膜结构的制备方法。本发明包括以下步骤:1)将自支撑金刚石膜基片依次用丙酮、乙醇、去离子水依次超声波清洗后,用氮气吹干送入反应室;2)采用ECR-PEMOCVD(电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积)系统,将反应室抽真空,加热基片至400~600℃,向反应室内通入氢气携带的三甲基镓、氮气;控制气体总压强,电子回旋共振反应得到在自支撑金刚石膜基片的GaN缓冲层薄膜。
搜索关键词: ecr pemocvd 系统 inn gan 支撑 金刚石 膜结构 制备 方法
【主权项】:
ECR‑PEMOCVD系统对InN/GaN/自支撑金刚石膜结构的制备方法,其特征在于包括以下步骤:1)将自支撑金刚石膜基片依次用丙酮、乙醇、去离子水依次超声波清洗后,用氮气吹干送入反应室;2)采用ECR‑PEMOCVD(电子回旋共振‑等离子体增强金属有机物化学气相沉积)系统,将反应室抽真空,加热基片至400~600℃,向反应室内通入氢气携带的三甲基镓、氮气;控制气体总压强,电子回旋共振反应得到在自支撑金刚石膜基片的GaN缓冲层薄膜;3)继续采用ECR‑PEMOCVD系统,将反应室抽真空,将基片加热至200℃~400℃,向反应室内通入氢气携带的三甲基铟、氮气,三甲基铟与氮气流量比为(2~4):(100~200),控制气体总压强为0.8~2.0Pa,电子回旋共振反应30min~3h沉积制备得InN薄膜,得到在GaN缓冲层薄膜/自支撑金刚石膜结构上的InN光电薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于沈阳工程学院,未经沈阳工程学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310300499.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code