[发明专利]高阶温度补偿无电阻带隙基准电压源无效
申请号: | 201310300846.2 | 申请日: | 2013-07-17 |
公开(公告)号: | CN103412605A | 公开(公告)日: | 2013-11-27 |
发明(设计)人: | 周泽坤;李涅;张晓敏;崔佳男;石跃;明鑫;王卓;张波 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | G05F1/567 | 分类号: | G05F1/567 |
代理公司: | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人: | 李顺德 |
地址: | 611731 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明涉及一种基准电压源。本发明公开了一种高阶温度补偿无电阻带隙基准电压源。本发明的技术方案是,高阶温度补偿无电阻带隙基准电压源,包括μVT^2电流产生模块、μVTH^2电流产生模块、高阶正温度系数电流产生模块和基准电压产生模块;其中,μVT^2电流产生模块产生的第一偏置电压连接到高阶正温度系数电流产生模块的一个输入端和基准电压产生模块的一个输入端;μVTH^2电流产生模块产生的第二偏置电压连接到高阶正温度系数电流产生模块的另一个输入端,高阶正温度系数电流产生模块产生第三偏置电压连接到基准电压产生模块的另一个输入端;基准电压产生模块的输出端输出基准电压。本发明的带隙基准电压源具有更好的温度特性,能够提供更高的基准电压精度。 | ||
搜索关键词: | 温度 补偿 电阻 基准 电压 | ||
【主权项】:
高阶温度补偿无电阻带隙基准电压源,包括μVT^2电流产生模块、μVTH^2电流产生模块、高阶正温度系数电流产生模块和基准电压产生模块;其中,μVT^2电流产生模块产生的第一偏置电压连接到高阶正温度系数电流产生模块的一个输入端和基准电压产生模块的一个输入端;μVTH^2电流产生模块产生的第二偏置电压连接到高阶正温度系数电流产生模块的另一个输入端,高阶正温度系数电流产生模块产生第三偏置电压连接到基准电压产生模块的另一个输入端;基准电压产生模块的输出端输出基准电压;所述μVT^2电流产生模块包括,PMOS管:MPS1、MPS2、MP1、MP2、MP3,NMOS管:MNS1、MN1、MN2、MN3、MN4,PNP管:Q1、Q2、Q3,以及电容C1;其中:MPS1的栅极与MNS1、MP1、MP2、MP3的栅极以及MP3、MN3的漏极相连作为该模块的输出端第一偏置电压,源极连接电源电压,漏极连接MNS1的漏极以及MPS2的栅极,MNS1的源极连接地电位;MPS2的源极连接电源电压,漏极连接MN2、MP2的漏极以及MN3管的栅极和电容C1的一端,电容C1的另一端连接地电位;MN2的栅极连接MN1的栅极、漏极以及MP1管的漏极和MN4管的栅极,源极连接Q2的发射极,Q2的基极和集电极相连连接到地电位;MN1的源极连接MN4的漏极,MN4的源极连接Q1的发射极,Q1的基极和集电极相连连接到地电位;MN3管的源极连接Q3的发射极,Q3基极和集电极相连连接到地电位;MP1、MP2、MP3的源极均连接电源电压;所述μVTH^2电流产生模块包括,PMOS管:MPS3、MPS4、MP4、MP5、MP6,NMOS管:MNS2、MN5、MN6、MN7、MN8、MN9、MN10,以及电容C2;其中:MPS3的栅极与MNS2、MP4、MP5、MP6的栅极以及MP6、MN7的漏极相连作为该模块的输出端第二偏置电压,源极连接电源电压,漏极连接MNS2的漏极以及MPS4的栅极,MNS2的源极连接地电位;MPS4的源极连接电源电压,漏极连接MN6、MP5的漏极以及MN7管的栅极和电容C2的一端,电容C2的另一端连接地电位;MN6的栅极连接MN5的栅极、漏极以及MP4管的漏极和MN8管的栅极,源极连接MN9的栅极和漏极,MN9的源极连接到地电位;MN5的源极连接MN8的漏极,MN8的源极连接到地电位;MN7管的源极连接MN10的栅极和漏极,MN10的源极连接到地电位;MP4、MP5、MP6的源极均连接电源电压;所述高阶正温度系数电流产生模块包括,PMOS管:MP7、MP8、MP9、MP10,PNP管:Q4、Q5、Q6、Q7,以及运算运算放大器组成;其中:MP7的栅极与MP8的栅极相连连接到输入的第一偏置电压,源极连接电源电压,漏极连接Q5的基极以及Q4的发射极,Q4的基极与集电极相连连接到地电位;MP8的源极连接电源电压,漏极连接Q5的发射极以及运算 放大器的反相输入端,Q5的集电极连接到地电位;运算放大器的同相输入端连接到Q6的发射极以及MP9的漏极,输出连接MP9的栅极作为该模块的输出端第三偏置电压,MP9的源极连接电源电压;Q6的基极连接Q7的发射极与MP10的漏极,集电极连接地电位,Q7的集电极与基极相连连接到地电位;MP10的栅极连接输入的第二偏置电压,源极连接电源电压;所述基准电压产生模块包括,PMOS管:MP11、MP12、MP13、MP14、MP15、MP16、MP17、MP18、MP19,NMOS管:MN11、MN12、MN13、MN14,以及PNP管:Q8;其中,MP11的栅极与MP12、MP14、MP17的栅极相连连接第一偏置电压,源极连接电源电压,漏极连接MN11的栅极和漏极以及MN12的栅极,MN11的源极连接地电位;MP12的源极连接电源电压,漏极连接MP13的漏极以及MP18的栅极和Q8的发射极,Q8的基极和集电极相连连接到地电位;MP13的栅极连接第三偏置电压,源极连接电源电压;MP18的源极连接MN13的栅极以及MP14的漏极,漏极连接地电位,MP14的源极连接电源电压;MN13的源极连接MN14的源极以及MN12的漏极,漏极连接MP15的栅极和漏极以及MP16的栅极,MN12的源极连接地电位,MP15的源极连接电源电压;MP16的源极连接电源电压,漏极与MN14的漏极以及MP19的栅极相连作为该模块的输出基准电压;MN14的栅极连接MP12的漏极以及MP19的源极,MP19的漏极连接地电位,MP17的源极连接电源电压。
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