[发明专利]电连接件及其形成方法有效
| 申请号： | 201310300897.5 | 申请日： | 2013-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN104037091B | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 王俊杰;郭宏瑞;刘重希 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种方法，包括：在凸块下金属（UBM）层上方涂覆光刻胶以及曝光光刻胶。在曝光步骤中，到达光刻胶的底部的光量小于到达光刻胶的顶面的光量的约5%。该方法进一步包括显影光刻胶以在光刻胶中形成开口。通过开口暴露UBM层的一部分。开口的底部横向尺寸大于顶部横向尺寸。在开口中形成电连接件，其中电连接件是不可回流的。本发明还提供了电连接件及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 连接 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成电连接件的方法，包括：在凸块下金属(UBM)层上方涂覆光刻胶；曝光所述光刻胶，其中在所述曝光步骤中，到达所述光刻胶的底部的光量小于到达所述光刻胶的顶面的光量的5％；显影所述光刻胶以在所述光刻胶中形成开口，其中通过所述开口暴露所述凸块下金属层的一部分，并且其中，通过选择用于曝光所述光刻胶的波长，使得所述开口的底部横向尺寸大于顶部横向尺寸；以及在所述开口中形成电连接件，所述电连接件是不可回流的，所述电连接件的侧壁的底部相对于所述凸块下金属层的顶面具有倾斜角度，所述倾斜角度小于45度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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