[发明专利]捷变频窄脉冲光发生器及控制方法有效
申请号: | 201310301068.9 | 申请日: | 2013-07-16 |
公开(公告)号: | CN103415108A | 公开(公告)日: | 2013-11-27 |
发明(设计)人: | 郑增荣 | 申请(专利权)人: | 杭州中瑞科技有限公司 |
主分类号: | H05B37/02 | 分类号: | H05B37/02;G03B15/05 |
代理公司: | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人: | 尉伟敏 |
地址: | 310000 浙江省杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种捷变频窄脉冲光发生器及控制方法,包括壳体,设于壳体内的窄脉冲信号发生器、晶体管MOSFET、灯板,设于灯板前表面上的若干个LED发光块,设于壳体前部的灯罩和设于灯板上的散热结构,散热结构露出壳体之外;窄脉冲信号发生器与晶体管MOSFET电连接,晶体管MOSFET的漏极D分别与各个LED发光块电连接;窄脉冲信号发生器与摄像机电连接。本发明具有可用于录像补光和抓拍补光;补光与频闪信号或抓拍信号的同步性好,拍摄的图像清晰度高;补光亮度高,使用寿命长的特点。 | ||
搜索关键词: | 变频 脉冲 发生器 控制 方法 | ||
【主权项】:
一种捷变频窄脉冲光发生器,其特征是,包括壳体(1),设于壳体内的窄脉冲信号发生器(2)、晶体管MOSFET(3)、灯板(20),设于灯板前表面上的若干个LED发光块(4),设于壳体前部的灯罩和设于灯板上的散热结构,散热结构露出壳体之外;窄脉冲信号发生器与晶体管MOSFET电连接,晶体管MOSFET的漏极D分别与各个LED发光块电连接;窄脉冲信号发生器与摄像机(5)电连接。
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