[发明专利]一种制备铜铟碲薄膜的方法有效
申请号: | 201310301206.3 | 申请日: | 2013-07-09 |
公开(公告)号: | CN103390692A | 公开(公告)日: | 2013-11-13 |
发明(设计)人: | 刘科高;张力;李静;石磊;许斌 | 申请(专利权)人: | 山东建筑大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 250101 山东省*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 一种制备铜铟碲薄膜材料的制备方法,属于光电薄膜制备技术领域,本发明通过如下步骤得到,首先清洗玻璃基片,然后将CuCl2·2H2O、InCl3·4H2O、TeO2放入溶剂中,并调整pH值,用旋涂法在玻璃片上得到前驱体薄膜,烘干,放入有水合联氨的可密闭容器,使前驱体薄膜样品不与联氨接触,将装有前驱体薄膜样品的密闭容器进行加热后取出样品进行干燥,得到铜铟碲光电薄膜。本发明不需要高温高真空条件,对仪器设备要求低,生产成本低,生产效率高,易于操作。所得铜铟碲光电薄膜有较好的连续性和均匀性,这种新工艺为制备高性能的铜铟碲光电薄膜提供了一种成本低、可实现工业化的生产方法。 | ||
搜索关键词: | 一种 制备 铜铟碲 薄膜 方法 | ||
【主权项】:
一种制备铜铟碲薄膜的方法,包括如下顺序的步骤: a.玻璃基片的清洗; b将0.8~1.5份CuCl2·2H2O、1.4~2.6份InCl3·4H2O和1.5~2.8份TeO2放入30~150份的溶剂中均匀混合; c.制作外部均匀涂抹步骤b所述溶液的基片,并烘干,得到前驱体薄膜样品; d.将步骤c所得前驱体薄膜样品置于支架上,放入有1.791份水合联氨的可密闭容器,使前驱体薄膜样品不与联氨接触;将装有前驱薄膜样品的密闭容器放入烘箱中,加热至160~220℃之间,保温时间10~20小时,然后冷却到室温取出; e.将步骤d所得产物,进行干燥,得到铜铟碲薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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