[发明专利]一种择优取向氯化铵薄膜无效
| 申请号： | 201310301216.7 | 申请日： | 2013-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN103449841A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 刘科高;李静;孙齐磊;石磊;许斌 | 申请（专利权）人： | 山东建筑大学 |
| 主分类号： | C04B41/50 | 分类号： | C04B41/50 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 250101 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种择优取向氯化铵薄膜，用于半导体薄膜技术领域。本发明通过如下步骤得到，首先清洗硅基片，然后将金属氯化物放入溶剂中溶解，用旋涂法在硅片上得到前驱体薄膜，烘干，放入有水合联氨的可密闭容器，使前驱体薄膜样品不与联氨接触，将装有前躯体薄膜样品的密闭容器进行加热，最后冷却、干燥，得到择优取向氯化铵薄膜。所得氯化铵薄膜沿择优取向(110)晶面生长，并有较好的连续性和均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 择优取向 氯化铵 薄膜 | ||
【主权项】：
一种择优取向氯化铵薄膜，其特征为沿(110)晶面生长，由如下顺序的步骤得到：a.硅基片的清洗；b.将2.0～5.0份金属氯化物、放入30～100份的溶剂中，使溶液中的物质均匀混合；c.制作外部均匀涂布步骤b所述溶液的基片，并烘干，得到前驱体薄膜样品；d.将步骤c所得前驱体薄膜样品置于支架上，放入有水合联氨的可密闭容器，使前驱体薄膜样品不与联氨接触，将装有前躯体薄膜样品的密闭容器放入烘箱中，加热至150～200℃之间，保温时间10～24小时，然后冷却到室温取出；e.将步骤d所得产物，进行自然干燥，得到沿择优取向(110)晶面生长的氯化铵薄膜。
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