[发明专利]用于pH敏感应用的金属镀覆在审
| 申请号： | 201310301266.5 | 申请日： | 2013-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN103484902A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | G·哈姆;D·L·雅康;J·A·里斯 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C25D3/38 | 分类号： | C25D3/38;C25D7/12;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈哲锋 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用于pH敏感应用的金属镀覆。提供了一种方法，所述方法包括：a)提供包括正面侧、金属化背面侧以及PN结的半导体，所述正面侧包括具有烧结的金属浆料的导电轨迹图案；b)在所述导电轨迹上沉积阻挡层；c)使所述半导体接触铜镀浴，所述铜镀浴包括一种或多种铜离子源、一种或多种氯化物离子和溴化物离子源、一种或多种硝酸盐离子、硫酸盐离子和硫酸氢盐离子源以及1.5-4的pH；以及d)邻近所述导电轨迹的所述烧结的金属浆料的所述阻挡层镀覆铜层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 ph 敏感 应用 金属 镀覆 | ||
【主权项】：
一种方法，所述方法包括：a)提供包括正面侧、金属化背面侧以及PN结的半导体，所述正面侧包括具有烧结的金属浆料的导电轨迹图案；b)在所述导电轨迹上沉积阻挡层；c)使所述半导体接触铜镀浴，所述铜镀浴包括一种或多种铜离子源、一种或多种氯化物离子和溴化物离子源、一种或多种硝酸盐离子、硫酸盐离子和硫酸氢盐离子源以及1.5‑4的pH；以及d)邻近所述导电轨迹的所述烧结的金属浆料的所述阻挡层镀覆铜层。
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