[发明专利]一种有机单分子层薄膜场效应气体传感器及制备方法有效
申请号: | 201310302782.X | 申请日: | 2013-07-17 |
公开(公告)号: | CN104297320B | 公开(公告)日: | 2017-07-25 |
发明(设计)人: | 江潮;王嘉玮;米斯巴·莫扎;李德兴 | 申请(专利权)人: | 国家纳米科学中心 |
主分类号: | G01N27/414 | 分类号: | G01N27/414 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人: | 巩克栋 |
地址: | 100190 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明涉及一种有机单分子层薄膜场效应气体传感器及制备方法。所述气体传感器组成结构由下至上包括衬底、栅电极、介电层、活性层及源漏电极,所述活性层为有机单分子薄膜层。所述制备方法采用真空蒸镀的方法在介电层上蒸镀有机单分子薄膜层;蒸镀时,首先将蒸发源加热至目标温度(如123℃),待沉积速率稳定后开启束流挡板开始蒸镀;控制蒸镀时间以得到有机单分子薄膜层作为活性层。根据本发明的技术方案,通过将并五苯单分子层作为活性层的气体传感器,使得活性层中所有的并五苯分子都能够与外界接触。传感器工作时,并五苯分子将不受阻挡地与被探测气体直接相互作用,并能灵敏地将这种相互作用反映在其薄膜晶体管输出曲线的变化中。 | ||
搜索关键词: | 一种 有机 单分子层 薄膜 场效应 气体 传感器 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种有机单分子层薄膜场效应气体传感器的制备方法,所述气体传感器由下至上包括衬底(5)、栅电极(4)、介电层(3)、活性层(2)及源漏电极(1),其特征在于,所述活性层(2)为有机单分子薄膜层;所述有机单分子薄膜层由1~5个单分子层组成;所述介电层(3)为二氧化硅上修饰聚苯乙烯层,所述介电层(3)中二氧化硅的厚度为200~300nm,聚苯乙烯层的厚度为30~40nm;所述制备方法采用真空蒸镀的方法在介电层(3)上蒸镀有机单分子薄膜层;蒸镀时,首先将蒸发源加热至目标温度,待沉积速率稳定后开启束流挡板开始蒸镀;控制蒸镀时间以得到有机单分子薄膜层作为活性层(2);其特征在于,将作为源漏电极(1)的金属箔应用机械方法直接贴附于有机单分子薄膜层表面。
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