[发明专利]多边形沟道层多栅结构隧穿晶体管及其形成方法在审
| 申请号： | 201310303453.7 | 申请日： | 2013-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN103413828A | 公开（公告）日： | 2013-11-27 |
| 发明（设计）人： | 刘立滨;梁仁荣;许军;王敬 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种多边形沟道层多栅结构隧穿晶体管及其形成方法，其中，该多边形沟道层多栅结构隧穿晶体管包括：衬底；沟道层，沟道层形成在衬底之上，沟道层沿垂直沟道层延长方向的截面为多边形；栅堆叠，栅堆叠形成在沟道层之上，栅堆叠包括紧邻沟道层的栅介质层以及紧邻栅介质层的栅电极，栅堆叠覆盖沟道层的所有侧面或者多个连续相邻侧面。本发明具有关态电流小，开态电流大、抑制短沟道层效应的能力和等比例缩小的能力强等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 多边形 沟道 层多栅 结构 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种多边形沟道层多栅结构隧穿晶体管，其特征在于，包括：衬底；沟道层，所述沟道层形成在所述衬底之上，所述沟道层沿垂直沟道层延长方向的截面为多边形；栅堆叠，所述栅堆叠形成在所述沟道层之上，所述栅堆叠包括紧邻沟道层的栅介质层以及紧邻所述栅介质层的栅电极，所述栅堆叠覆盖所述沟道层的所有侧面或者多个连续相邻侧面。
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