[发明专利]氮化物基半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201310303593.4 | 申请日： | 2013-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN103579330A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 李哉勋;郭煐宣 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 陈源;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化物基半导体器件及其制造方法，所述氮化物基半导体器件包括在衬底上的缓冲层、在缓冲层上的氮化物基半导体层、在氮化物基半导体层内的至少一个离子注入层以及在氮化物基半导体层上的沟道层。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物基半导体器件，包括：缓冲层，其在衬底上；氮化物基半导体层，其在所述缓冲层上；至少一个离子注入层，其在所述氮化物基半导体层内；以及沟道层，其在所述氮化物基半导体层上。
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