[发明专利]半导体装置和及其制造方法有效
| 申请号： | 201310303972.3 | 申请日： | 2010-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN103400857A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;细羽幸;平石铃之介 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/49;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 陈华成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置和及其制造方法。公开了一种包括薄膜晶体管和连接至该薄膜晶体管的布线的半导体装置，其中，该薄膜晶体管具有处于氧化物半导体层中的沟道形成区，并且将铜金属用于栅极电极、源极电极、漏极电极、栅极布线、源极布线以及漏极布线中的至少一个。具有氧化物半导体层的晶体管的极其低的截止电流有助于降低半导体装置的功耗。另外，使用铜金属允许半导体装置与显示元件的组合，从而提供具有由利用铜金属形成的布线和电极的低电阻而产生的高显示质量和可忽略缺陷的显示装置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：在基板上的栅极电极；在所述栅极电极上的栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上的氧化物半导体层；具有与所述氧化物半导体层接触的区域的第二氧化硅层；以及在所述第二氧化硅层上的源极电极和漏极电极，其中，所述栅极电极具有包括Ti的第一层和包括Cu的第二层的叠层，其中，所述栅极绝缘层具有氮化硅层和第一氧化硅层的叠层，以及其中，所述氮化硅层覆盖所述第二层。
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