[发明专利]一种单晶硅太阳能离子注入工艺

摘要

本文介绍了一种单晶硅太阳能电池的制作方法。该方法包括利用离子注入的方法在p型硅片衬底上形成n型掺杂层，注入后硅片通过单次高温退火工艺实现掺杂原子的激活，并推进形成一定结深的p-n结，退火过程中通入氧气以在硅片表面形成二氧化硅钝化层。正面和背面接触的烧结过程在高温烧结炉中一次烧结形成。

主权项

生产单晶硅太阳能电池的方法包括： 提供p型衬底，通过离子注入方式将杂质原子引入p型衬底的前表面，引入的掺杂杂质均为n型；衬底的退火，包括将衬底送入一定温度的炉体中，去除注入损伤，激活掺杂杂质，并将杂质原子推进到适当深度，从而形成发射极；退火过程中将氧气引入炉中，在衬底的表面形成钝化二氧化硅膜层。