[发明专利]一种应用于硅太阳能电池的扩散工艺无效
| 申请号： | 201310305727.6 | 申请日： | 2013-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN104299895A | 公开（公告）日： | 2015-01-21 |
| 发明（设计）人： | 张春萍 | 申请（专利权）人： | 北京中科信电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/228 | 分类号： | H01L21/228 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 101111 北京市通*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明是一种晶体硅太阳电池制造工艺，该扩散工艺主要是指在原有工艺的基础上增加激活一步，减少非活性磷的数量，进而提高开路电压、短路电流，减小漏电流等，提高了晶体硅太阳能电池的光电转换效率。该新的扩散工艺编辑简单，在原先工艺的基础上修改一下即可，便于操作，使用于产业化生产，不影响生产进度，可以在大规模的太阳能电池生产线中应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 太阳能电池 扩散 工艺 | ||
【主权项】：
一种高效太阳能电池的扩散工艺，其特征在于：扩散后增加激活一步，有利于将非活性磷转变为有用的活性磷，减少了杂质数量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
