[发明专利]一种PECVD低温镀膜工艺研究无效
| 申请号： | 201310305827.9 | 申请日： | 2013-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN104299894A | 公开（公告）日： | 2015-01-21 |
| 发明（设计）人： | 刘汉清 | 申请（专利权）人： | 北京中科信电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/318 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 101111 北京市通*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本研究公开了一种中国电子科技集团第四十八研究所PECVD一种低温氮化硅薄膜的工艺，属于半导体制造领域。该工艺包括(1)研究内容、(2)PECVD法生产氮化硅膜的原理、(3)氮化硅的作用与钝化机理、(4)实验方法、(5)实验结果与分析。说明书对该工艺工作原理进行了详细的说明，并给出了具体的实施方案。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pecvd 低温 镀膜 工艺 研究 | ||
【主权项】：
1.如权利要求1所述，采用了等离子体增强化学气相沉积法制备氮化硅薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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