[发明专利]绝缘栅双极型晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201310306115.9 | 申请日： | 2013-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN104299989B | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 邓小社;钟圣荣;周东飞;王根毅 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法，该绝缘栅双极型晶体管制造方法在制造IGBT时先在N型衬底上注入一层N型离子形成N+载流子增强区，然后再形成IGBT正面结构和背面结构。通过在N型衬底上注入一层N型离子形成N+载流子增强区来减小高温漏电流。因此，该绝缘栅双极型晶体管具有高温漏电流小的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘栅双极型晶体管 载流子 漏电流 增强区 制造 衬底 背面结构 正面结构 减小 | ||
【主权项】：
一种绝缘栅双极型晶体管，包括N型衬底、IGBT正面结构、形成于N型衬底背面的P+层以及形成于P+层上远离N型衬底一侧的背面金属层，其特征在于，所述N型衬底和IGBT正面结构之间还具有一层N+载流子增强区，所述IGBT正面结构形成于所述N+载流子增强区上；所述IGBT正面结构包括MOS结构和形成于MOS结构周围的P环结构，所述MOS结构和所述P环结构形成于所述N+载流子增强区上。
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