[发明专利]肖特基势垒二极管无效
| 申请号： | 201310306272.X | 申请日： | 2009-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN103441140A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 堀井拓;宫崎富仁;木山诚 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/47 | 分类号： | H01L29/47;H01L29/872;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/20 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 韩峰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及肖特基势垒二极管。所述肖特基势垒二极管包括：GaN层（3）和肖特基电极（4），所述肖特基电极（4）形成在所述GaN层（3）上，其中，使与所述肖特基电极（4）相接触的所述GaN层（3）的区域（3c）的位错密度为1×108cm-2或更小以减小反向泄漏电流，通过使所述肖特基电极（4）中与所述GaN层（3）相接触的部分由Ni或Ni合金构成来增加势垒高度。由于在肖特基势垒二极管反向偏置时，由位错导致的反向泄漏电流小，所以由于肖特基电极的势垒高度增加而可以增强肖特基势垒二极管的耐受电压。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基势垒二极管 | ||
【主权项】：
一种肖特基势垒二极管，包括：GaN层（3），和肖特基电极（4），所述肖特基电极（4）形成在所述GaN层（3）上，其中，使与所述肖特基电极（4）相接触的所述GaN层（3）的区域（3c）的位错密度为1×108cm‑2或更小以减小反向泄漏电流，通过使所述肖特基电极（4）中与所述GaN层（3）相接触的部分由Ni或Ni合金构成来增加势垒高度。
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