[发明专利]一种用于杂化太阳电池的类钙钛矿敏化光阳极的制备方法有效
| 申请号： | 201310306559.2 | 申请日： | 2013-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN103440988A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 兰章;吴季怀 | 申请（专利权）人： | 华侨大学 |
| 主分类号： | H01G9/042 | 分类号： | H01G9/042;H01G9/20;H01L51/44;H01L51/48 |
| 代理公司： | 泉州市文华专利代理有限公司 35205 | 代理人： | 陈雪莹 |
| 地址： | 362000 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于杂化太阳电池的类钙钛矿敏化光阳极的制备方法，所述制备方法如下：首先在透明导电基板上制备由宽禁带半导体氧化物纳米材料构成的亚微米厚薄膜，然后用离子交换法在薄膜中沉积卤化铅PbCl2或PbBr2或PbI2中的至少一种，最后用浸渍法使沉积的卤化铅与有机卤化铵盐反应，在薄膜中原位生成有机无机类钙钛矿，获得类钙钛矿敏化的光阳极。本发明可方便控制有机无机类钙钛矿的组分、粒径、厚度等关键参数，从而控制其光谱响应波段和光电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 太阳电池 类钙钛矿敏化光 阳极 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于杂化太阳电池的类钙钛矿敏化光阳极的制备方法，其特征在于：所述制备方法如下：首先在透明导电基板上制备由宽禁带半导体氧化物纳米材料构成的亚微米厚薄膜，然后用离子交换法在薄膜中沉积卤化铅PbCl2或PbBr2或PbI2中的至少一种，最后用浸渍法使沉积的卤化铅与有机卤化铵盐反应，在薄膜中原位生成有机无机类钙钛矿，获得类钙钛矿敏化的光阳极。
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