[发明专利]一种低漏电流五元系ZnO压敏陶瓷材料及烧结方法无效
| 申请号： | 201310306661.2 | 申请日： | 2013-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN103387389A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 徐志军;马帅;初瑞清;杜鹃;李艳;巩云云 | 申请（专利权）人： | 聊城大学 |
| 主分类号： | C04B35/453 | 分类号： | C04B35/453;C04B35/64 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 252059 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低漏电流五元系ZnO压敏陶瓷材料，材料配方为：摩尔比为(100-y-z-m-n)%：y%：z%：m%：n%的ZnO、Bi2O3、Co2O3、SnO2、B2O3，其中y=0~2,z=0~1,m=0~2,n=0~2。本发明获得的ZnO-Bi2O3系压敏电阻材料的压敏场强为163V/mm~565V/mm，当场强大于300V/mm时，非线性系数大于50，漏电流均小于0.1μA；当场强小于300V/mm时，非线性系数α>30，漏电流IL<1μＡ，且烧结温度低，综合性能良好；另外，本发明的制备方法具有工艺简单，能耗小，绿色环保等优点，具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 漏电 流五元系 zno 陶瓷材料 烧结 方法 | ||
【主权项】：
一种低漏电流五元系ZnO压敏陶瓷材料，其特征在于，材料配方为：摩尔比为(100‑y‑z‑m‑n)%：y% ：z% ：m% ：n%的ZnO、Bi2O3、Co2O3、SnO2、B2O3，其中y=0~2,z=0~1,m=0~2, n=0~2。
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