[发明专利]一种铜柱微凸点结构的制作方法及其结构无效
| 申请号： | 201310307081.5 | 申请日： | 2013-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN103337463A | 公开（公告）日： | 2013-10-02 |
| 发明（设计）人： | 戴风伟;于大全 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/488 |
| 代理公司： | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 | 代理人： | 任益 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种铜柱微凸点结构及制作方法，简化了工艺制程，降低了生产成本，同时提高了产品的良品率，其包括以下步骤：（1）在IC晶圆上制作多层RDL金属互连结构，当完成最后一层RDL金属互连层的电镀后，剥离光刻胶，但不腐蚀其种子层；（2）在最后一层RDL金属连层及其种子层上直接涂覆光刻胶，用于制作铜柱微凸点；（3）对光刻胶图形化，裸露出RDL金属互连层，以确定铜柱微凸点的大小和节距；（4）电镀铜柱和SnAg焊料；（5）剥离光刻胶；（6）刻蚀最后一层RDL金属互连层的种子层，也是用于电镀铜柱微凸点的种子层；（7）SnAg焊料回流；本发明同时还供了一种铜柱微凸点结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铜柱微凸点 结构 制作方法 及其 | ||
【主权项】：
一种铜柱微凸点结构的制作方法，其特征在于，其包括以下步骤：（1）、在IC晶圆上制作多层RDL金属互连结构，当完成最后一层RDL金属互连层的电镀后，剥离光刻胶，但不腐蚀其种子层；（2）、在最后一层RDL金属连层及其的种子层上直接涂覆光刻胶，用于制作铜柱微凸点；（3）、对光刻胶图形化，裸露出RDL种子层材料，以确定铜柱微凸点的大小和节距； （4）、电镀铜柱和SnAg焊料；（5）、剥离光刻胶；（6）、刻蚀最后一层RDL金属互连层的种子层，也是用于电镀铜柱微凸点的种子层；（7）SnAg凸点焊料回流。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
