[发明专利]以阶层式分组及过滤来识别晶圆系统性缺陷的系统与方法有效
申请号: | 201310307224.2 | 申请日: | 2013-07-22 |
公开(公告)号: | CN104217971B | 公开(公告)日: | 2017-04-05 |
发明(设计)人: | 林志诚;庄少特 | 申请(专利权)人: | 英属开曼群岛商达盟系统有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京华夏博通专利事务所(普通合伙)11264 | 代理人: | 刘俊 |
地址: | 中国台湾新竹县竹北*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 检测一半导体元件的多数个晶圆后,产生多数个候选缺陷清单,以进行系统性缺陷的识别。每个候选缺陷清单含有自检测其中一晶圆所取得的多个候选缺陷。各个候选缺陷由多个缺陷特征所代表,其中的一缺陷特征为缺陷位置。将每一或多份的候选缺陷清单中的候选缺陷做为一组别,以进行第一阶段分组与过滤,来各自产生一份第一阶段缺陷清单。接着,针对所有多数个第一阶段缺陷清单中的候选缺陷进行第二阶段分组与过滤,并产生一最终系统性缺陷清单以识别系统性缺陷。在阶层式分组与过滤中,使用各个缺陷的缺陷特征,以及根据缺陷位置而从设计数据库所撷取的一设计图样剪辑来进行分组与过滤。 | ||
搜索关键词: | 阶层 分组 过滤 识别 系统性 缺陷 系统 方法 | ||
【主权项】:
一种以阶层式分组及过滤来识别晶圆系统性缺陷的方法,其特征在于,包括下述步骤:搜集多个候选缺陷清单,所述候选缺陷清单自检测一半导体元件的多个晶圆所取得,且分别包括自检测所述晶圆的其中之一所取得的多个候选缺陷,所述候选缺陷分别由多个缺陷特征所代表,其中所述缺陷特征包括一缺陷位置;藉由将所述候选缺陷清单划分为多个组别,来形成多个数据集合,其中所述数据集合的每一个由一对应组别中的所有候选缺陷所组成;藉由将具有相似或者相同特征的所述候选缺陷分组为一相同缺陷组别以及基于一第一预设准则将干扰形式的所述候选缺陷过滤掉,来对于所述数据集合进行第一阶段分组与过滤,以产生多个第一阶段缺陷清单,其中所述数据集合的每一个是独立处理以产生对应的第一阶段缺陷清单,且对应的第一阶段缺陷清单是由对应的数据集合中的所述候选缺陷的一部份所组成;藉由将具有相似或者相同特征的所述候选缺陷分组为一相同系统性缺陷组以及基于一第二预设准则将非系统性缺陷形式的所述候选缺陷过滤掉,以将所述第一阶段缺陷清单内的所有所述候选缺陷共同进行第二阶段分组与过滤,并且为所述系统性缺陷产生一最终缺陷清单;其中,各个候选缺陷的所述缺陷特征被使用在该第一阶段分组与过滤以及该第二阶段分组与过滤中;从产生先前的最终缺陷清单的所有所述第一阶段缺陷清单中,排除其中至少一份所述第一阶段缺陷清单,而组成一先前所述第一阶段缺陷清单群组;搜集一新数据集合,该新数据集合由至少一新候选缺陷清单的所有所述候选缺陷组成,该至少一新候选缺陷清单是从检测该相同半导体组件的至少一新晶圆所获得;将该新数据集合进行第一阶段分组与过滤,以产生一新第一阶段缺陷清单,该新第一阶段缺陷清单由该新数据集合中所述候选缺陷的一部分所组成;以及将该新第一阶段缺陷清单内的所有所述候选缺陷,以及该先前所述第一阶段缺陷清单群组的所述候选缺陷一起进行第二阶段分组与过滤,并且为所述系统性缺陷产生一新最终缺陷清单。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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