[发明专利]一种白光LED外延结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201310307321.1 | 申请日： | 2013-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN103400910A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 曹永革;刘著光;邓种华;陈剑;袁轩一 | 申请（专利权）人： | 曹永革 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100089 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种白光LED外延结构及其制备方法，采用稀土元素掺杂的YAG透明陶瓷或单晶为衬底进行GaN基LED外延结构生长，外延结构自下而上包括：低温AlN缓冲层、低温GaN缓冲层、GaN缓冲层、n型GaN层、AlGaN阻挡层、InGaN/GaN多量子阱发光层、AlGaN阻挡层、P型GaN层和高掺杂p型GaN电极接触层，由于LED外延层结构是以荧光材料为衬底，由该外延结构制备的LED芯片可实现直接的白光发射，从而简化了白光LED光源的制备工序，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 白光 led 外延 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基白光LED外延片，其结构自下而上依次为衬底、低温AlN缓冲层、低温GaN缓冲层、GaN缓冲层、n型GaN层、AlGaN阻挡层、InGaN/GaN多量子阱发光层、AlGaN阻挡层、P型GaN层和高掺杂p型GaN电极接触层，其特征在于：其衬底采用稀土元素掺杂的Y3Al5O12(YAG)陶瓷或单晶。
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