[发明专利]半导体器件终端、半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310308143.4 | 申请日： | 2013-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN104332488B | 公开（公告）日： | 2017-07-07 |
| 发明（设计）人： | 钟圣荣;王根毅;邓小社;周东飞 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861;H01L29/739 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司32236 | 代理人： | 庞聪雅,吴锦伟 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件、半导体器件终端及其制造方法，所述半导体器件终端位于形成有半导体器件单元的原胞外侧，其包括具有第一主面和第二主面的第一导电类型的终端区基板；形成于所述终端区基板的第一主面侧的第二导电类型的场限环和第一导电类型的表面增强区，所述场限环和表面增强区相互间隔。其中所述表面增强区的掺杂浓度高于所述终端区基板的掺杂浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 终端 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件终端，其位于形成有半导体器件单元的原胞外侧，其特征在于，其包括：具有第一主面和第二主面的第一导电类型的终端区基板；形成于所述终端区基板的第一主面侧的第二导电类型的场限环和第一导电类型的表面增强区，所述场限环和表面增强区相互间隔，其中，所述表面增强区的掺杂浓度高于所述终端区基板的掺杂浓度，所述表面增强区较所述场限环深；自所述场限环的边缘部分的第一主面和所述表面增强区的第一主面上形成的场氧化层；在所述场氧化层上表面形成的介质层；以及位于所述场限环和表面增强区上方部分覆盖介质层并与所述场限环电性接触的金属场板；在所述终端区基板的第二主面上形成的金属化阴极，所述金属化阴极与所述终端区基板电性接触。
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