[发明专利]光栅分布反馈量子级联激光器有效
| 申请号： | 201310308727.1 | 申请日： | 2013-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN103368071A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 张锦川;刘峰奇;卓宁;王利军;刘俊岐;王占国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/125 | 分类号： | H01S5/125;H01S5/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 曹玲柱 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种光栅分布反馈量子级联激光器。该光栅分布式量子级联激光器包括：衬底；以及在该衬底上依次生长的下波导层，下光限制层，有源区，上光限制层，等效相移光栅，上波导层；其中，在所述上光限制层的上表面具有等效相移光栅，该等效相移光栅包括均匀光栅、采样光栅和π相移结构。与传统均匀光栅的制作工艺相比，本发明等效相移光栅制作工艺要简单的多，从而极大降低了光栅分布反馈量子级联激光器的制备难度。 | ||
| 搜索关键词： | 光栅 分布 反馈 量子 级联 激光器 | ||
【主权项】：
一种光栅分布反馈量子级联激光器，其特征在于，包括：衬底；以及在该衬底上依次生长的下波导层，下光限制层，有源区，上光限制层，等效相移光栅，上波导层； 其中，在所述上光限制层的上表面具有等效相移光栅，该等效相移光栅包括均匀光栅、采样光栅和π相移结构。
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