[发明专利]磁性结、磁存储器、用于提供磁性结的方法和系统有效
| 申请号： | 201310308993.4 | 申请日： | 2013-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN103579497B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | C-M.朴;D.W.埃里克森;M.T.克劳恩比 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了磁性结、磁存储器、用于提供磁性结的方法和系统。该方法和设备在基板上提供包括磁性结的磁存储器。该设备包括RIE室和离子研磨室。RIE室和离子研磨室被耦接使得磁存储器可在RIE室和离子研磨室之间移动而不将磁存储器暴露到周围环境。该方法提供磁性结层和在磁性结层上的硬掩模层。硬掩模利用RIE由硬掩模层形成。磁性结层在RIE之后被离子研磨，而不在RIE之后将磁存储器暴露到周围环境。离子研磨磁性结层限定每个磁性结的至少部分。可以提供磁性结。磁性结包括被钉扎层、非磁间隔层和自由层。自由层具有不大于20纳米的宽度并在写电流流过磁性结时可转换。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 磁存储器 用于 提供 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种用于在基板上制造包括多个磁性结的磁存储器的设备，该设备包括：反应离子蚀刻(RIE)室；以及离子研磨室；所述RIE室和所述离子研磨室被耦接使得所述磁存储器可在所述RIE室和所述离子研磨室之间移动而不将所述磁存储器暴露到周围环境。
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