[发明专利]一种透波氮化硅天线罩材料及其制备方法有效
申请号: | 201310309109.9 | 申请日: | 2013-07-23 |
公开(公告)号: | CN103724036A | 公开(公告)日: | 2014-04-16 |
发明(设计)人: | 陈照峰;余盛杰 | 申请(专利权)人: | 太仓派欧技术咨询服务有限公司 |
主分类号: | C04B35/80 | 分类号: | C04B35/80;C04B35/584;C04B35/622 |
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地址: | 215400 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种透波Si3N4天线罩材料及其制备方法,该透波Si3N4天线罩材料是以低密度多孔氮化硅为芯层,氮化硅与氮化硼短切纤维或晶须作为芯层增强相,致密化氮化硅为表层涂层。首先将硅粉与氮化硅以及氮化硼短切纤维混合造粒后与成孔剂按照一定比例混合均匀,模压成一定形状坯体,在200~300℃下使成孔剂完全分解,得到多孔坯体。然后进行氮化处理得到短切纤维增强的多孔氮化硅陶瓷体,超声波清洗后烘干。最后通过化学气相沉积(CVD)来对该多孔氮化硅基陶瓷体制备致密氮化硅涂层。本发明优点在于:(1)短切纤维或晶须镶嵌在多孔氮化硅芯层,起到强化作用;(2)致密氮化硅在多孔氮化硅芯层外层,起到防水防汽渗入的作用;(3)制备工艺周期短,成本低。 | ||
搜索关键词: | 一种 氮化 天线罩 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种透波Si3N4天线罩材料,其特征在于是以低密度多孔氮化硅为芯层,氮化硅与氮化硼短切纤维或晶须作为芯层增强相,致密化氮化硅为表层涂层。
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