[发明专利]DBC基板在审
| 申请号： | 201310309527.8 | 申请日： | 2013-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN104332446A | 公开（公告）日： | 2015-02-04 |
| 发明（设计）人： | 任杰;王豹子 | 申请（专利权）人： | 西安永电电气有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/14 | 分类号： | H01L23/14;H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 710016 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种DBC基板，包括绝缘层以及形成于该绝缘层上的金属层，金属层包括2个第一IGBT芯片焊接区、2个第二IGBT芯片焊接区、2个FRD芯片焊接区以及键合区，IGBT芯片焊接区和FRD芯片焊接区对称分布于键合区的两侧，位于键合区一侧的IGBT芯片焊接区和FRD芯片沿纵向排列，键合区包括发射极引线键合区和栅极引线键合区，栅极引线键合区的顶端与第一IGBT芯片焊接区的中心所在的水平线相交或相切，栅极引线键合区的底端与第二IGBT芯片焊接区的中心所在的水平线相交或相切。本发明的DBC基板兼容栅极在IGBT芯片中间位置和四角位置两种芯片。 | ||
| 搜索关键词： | dbc 基板 | ||
【主权项】：
一种DBC基板，包括绝缘层以及形成于该绝缘层上的金属层，所述的金属层包括2个第一IGBT芯片焊接区、2个第二IGBT芯片焊接区、2个FRD芯片焊接区以及键合区，所述的第一IGBT芯片焊接区、第二IGBT芯片焊接区和FRD芯片焊接区对称分布于所述键合区的两侧，位于所述键合区一侧的第一IGBT芯片焊接区、第二IGBT芯片焊接区和FRD芯片沿纵向排列，且第二IGBT芯片焊接区位于第一IGBT芯片焊接区和FRD芯片之间，其特征在于：所述的键合区包括发射极引线键合区和栅极引线键合区，所述的栅极引线键合区的顶端与所述第一IGBT芯片焊接区的中心所在的水平线相交或相切，所述的栅极引线键合区的底端与第二IGBT芯片焊接区的中心所在的水平线相交或相切。
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