[发明专利]高耐磨氮化硅陶瓷的生产方法无效
| 申请号： | 201310311553.4 | 申请日： | 2013-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN103964861A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 陈海*;王亦臣;刘军 | 申请（专利权）人： | 上海中耐高温材料有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/584 | 分类号： | C04B35/584;C04B35/622 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201108 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 高耐磨氮化硅陶瓷的生产方法。本发明公开了一种α-β复相氮化硅陶瓷的生产方法，其特征在于，所述氮化硅陶瓷原材料各组分及质量百分比含量为：氮化硅92％，氧化钇5％，三氧化二铝3％。将上述各组分混合制坯，采用三步气压烧结工艺生产，第一步，在低温低压氮气气氛将陶瓷坯体烧至气孔完全闭合，烧结温度1600～1650℃，氮气压力1MPa；第二步，调高温度，加大氮气压力，在高温下短暂停留，烧结温度1750～1780℃，氮气压力6MPa；第三步，迅速降温，长时间保温，烧结温度1400～1450℃，由高温到低温的降温速率为40℃／min，直至烧结致密。本发明生产的氮化硅陶瓷具有较好的耐磨性。 | ||
| 搜索关键词： | 耐磨 氮化 陶瓷 生产 方法 | ||
【主权项】：
一种α‑β复相氮化硅陶瓷的生产方法，其特征在于，所述氮化硅陶瓷原材料各组分及质量百分比含量为：氮化硅92％，氧化钇5％，三氧化二铝3％。上述氮化硅中α相氮化硅质量百分比含量大于94％，氧化钇和三氧化二铝纯度(质量百分比)均大于99％。上述各组分的粒径分别为：氮化硅0.4～0.6μm，氧化钇1～3μm，三氧化二铝0.3～0.5μm。将上述各组分混合制坯，采用三步气压烧结工艺生产。
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