[发明专利]低导通电阻的半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201310311562.3 | 申请日： | 2013-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN104051499A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 陈永初;吴锡垣 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低导通电阻的半导体装置，该半导体装置具有由邻近于厚介电层的薄介电层所定义的双介电层结构；特别地，提供具有包括邻近于薄氧化/厚氧化层的薄栅极氧化层的双栅极氧化层结构的高电压金属氧化物半导体晶体管；这样的结构可用于延伸漏极金属氧化物半导体场效晶体管、横向扩散金属氧化场效晶体管或任何高电压金属氧化物半导体晶体管。本发明还公开了一种制造延伸漏极金属氧化物半导体场效晶体管装置的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 通电 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：一双介电层，其具有一薄介电层邻近于一厚介电层；一绝缘层，其被配置在该厚介电层上；以及一第一导电层，其沿着该薄介电层被配置，该薄介电层具有至少一部份沿着该绝缘层被配置的一阶层部份。
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