[发明专利]等离子体刻蚀方法有效
| 申请号： | 201310312153.5 | 申请日： | 2013-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN104347389B | 公开（公告）日： | 2017-07-21 |
| 发明（设计）人： | 王兆祥;孙超 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吴世华,林彦之 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，公开了一等离子体刻蚀方法，在传统的碳氟化合物气体、Ar、O2基础上，加入含N气体作为刻蚀气体，从而与等离子体中的碳离子反应生成CN聚合物，沉积在等离子体刻蚀腔室的内壁及喷淋头表面，从而保证氧化钇表面以及反应生成的氟化钇免受等离子体物理轰击作用，减少YFx的溅射，从而减少含钇颗粒及残渣的生成，进一步减少甚至消除等离子体刻蚀过程中因喷淋头表面覆盖的氧化钇在待刻蚀半导体基底表面所带来的残留物，提高等离子体刻蚀的表面质量。此外，本发明提供的等离子体刻蚀方法还可以降低等离子体刻蚀过程中对喷淋头表面覆盖的氧化钇物理轰击的损伤，延长喷淋头的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种等离子体刻蚀方法，包括步骤：提供半导体基底，所述半导体基底表面覆盖有图形化的光阻材料层；将所述半导体基底置于等离子体刻蚀腔室内，所述等离子体刻蚀腔室内包括表面覆盖有氧化钇的喷淋头；其特征在于：以所述图形化的光阻材料层为掩膜，对包括碳氟化合物气体、含N气体在内的刻蚀气体等离子化，对半导体基底进行刻蚀；其中所述碳氟化合物气体为主刻蚀气体；对半导体基底进行刻蚀的过程中，源功率为500～1500W，偏置功率为1000～2000W，等离子体刻蚀腔室的腔体压力为20～80mT。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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