[发明专利]一种制作半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201310312294.7 | 申请日： | 2013-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN104347505A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 康劲;吴汉明;卜伟海 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制作半导体器件的方法，根据本发明的方法提出一种双应力记忆技术的制造工艺，采用正负两种光刻胶在同一张光罩上完成pFET上方张应力层光刻去除和nFET上方压应力层光刻去除。根据本发明的制造工艺可以减少在集成电路制造过程中光罩的数量，有效地降低制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制作半导体器件的方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一区域和第二区域；在所述半导体衬底上依次形成第一应力层和第一光刻胶层；采用光罩图案化所述第一光刻胶层，以形成图案化的第一光刻胶层；根据所述图案化的第一光刻胶层刻蚀所述第一应力层，以去除所述第二区域中的所述第一应力层；去除所述图案化的第一光刻胶层；在所述半导体衬底上依次形成第二应力层和第二光刻胶层；采用所述光罩图案化所述第二光刻胶层，以形成图案化的第二光刻胶层；根据所述图案化的第二光刻胶层刻蚀所述第二应力层，以去除所述第一区域中的所述第二应力层；去除所述图案化的第二光刻胶层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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