[发明专利]一种半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310312323.X | 申请日： | 2013-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN104347476B | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，其中所述制造方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成蚀刻停止层和层间介电层；在所述层间介电层中形成铜金属互连结构；在所述铜金属互连结构中形成铜金属层；以及在所述铜金属层的顶部形成自下而上层叠的钴金属层和AlN层。根据本发明，在所述铜金属互连结构中的铜金属层的顶部形成自下而上层叠的钴金属层和AlN层，可以有效抑制由所述铜金属层中的铜向上层层间介电层中的扩散所引发的电迁移，同时可以显著改善所述铜金属层与后续形成在其上的上层蚀刻停止层之间的附着性，避免层离现象的出现。 | ||
| 搜索关键词： | 铜金属层 互连结构 铜金属 半导体器件 层间介电层 蚀刻停止层 钴金属层 衬底 半导体 制造 有效抑制 避免层 电迁移 附着性 介电层 上层 扩散 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成蚀刻停止层和层间介电层；在所述层间介电层中形成铜金属互连结构；在所述铜金属互连结构中形成铜金属层；以及在所述铜金属层的顶部形成自下而上层叠的钴金属层和AlN层，由所述钴金属层和所述AlN层构成的层叠结构未覆盖所述层间介电层，所述AlN层与后续形成的另一蚀刻停止层之间存在良好的附着性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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