[发明专利]提高PMOS器件栅极的负偏压温度稳定性方法

摘要

本发明公开了一种提高PMOS器件栅极的负偏压温度稳定性方法，包括步骤形成栅氧化层和栅极多晶硅并注入硼离子；在栅极多晶硅表面形成金属硅化钨层；进行全面氟离子注入；通过热处理将氟离子扩散到栅极多晶硅中。本发明能减少栅极的硅和氧化硅界面处的应力、以及减少由硅氢键的存在而产生的界面态，能够增加硅和氧化硅界面的稳定性、有效减小PMOS器件的阈值电压漂移，提高PMOS器件栅极的负偏压温度稳定性。

主权项

一种提高PMOS器件栅极的负偏压温度稳定性方法，其特征在于，形成PMOS器件的栅极的步骤包括：步骤一、在硅衬底上依次形成栅氧化层和栅极多晶硅，在所述栅极多晶硅中注入硼离子，使所述栅极多晶硅呈P型掺杂结构；步骤二、在硼离子注入之后，在所述栅极多晶硅表面形成金属硅化钨层；步骤三、进行全面氟离子注入将氟离子注入到所述金属硅化钨层中；步骤四、通过热处理将氟离子扩散到所述栅极多晶硅中；且在硅和氧化硅的界面处，氟离子取代氢离子形成比硅氢键更加稳定的硅氟键；由氟离子扩散后的所述金属硅化钨层和所述栅极多晶硅组成所述PMOS器件的栅极。