[发明专利]一种半导体器件的选择性刻蚀方法及BSI图像传感器制作方法在审
| 申请号： | 201310312586.0 | 申请日： | 2013-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN104347385A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 王冲;吴秉寰;罗仕洲;奚民伟;常延武;史爽 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种选择性刻蚀方法及BSI图像传感器的制作方法。该选择性刻蚀方法包括以下步骤：用HNA溶液（HF-HNO3-CH3COOH）刻蚀掺杂型硅，反应预定时间后形成亚硝酸根离子浓度为C1的刻蚀液；用该刻蚀液选择性刻蚀待刻蚀的半导体器件，其中，刻蚀待刻蚀半导体器件所需的亚硝酸根离子初始浓度为C0，刻蚀液的C1大于C0，且HNA溶液为氢氟酸、硝酸及醋酸形成的混合溶液。由于本申请提供的选择性刻蚀方法具有刻蚀速率均匀的优点，将其应用到半导体器件，尤其是BSI图像传感器的选择性刻蚀时，可实现刻蚀后半导体器件的厚度均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 选择性 刻蚀 方法 bsi 图像传感器 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的选择性刻蚀方法，其特征在于，所述方法包括：用HNA溶液刻蚀掺杂型硅，反应预定时间后得到亚硝酸根离子浓度为C1的刻蚀液；用所述刻蚀液选择性刻蚀待刻蚀的半导体器件，其中，刻蚀所述半导体器件所需的亚硝酸根离子初始浓度为C0；所述C1大于等于C0，且所述HNA溶液为由氢氟酸、硝酸及醋酸形成的混合溶液。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
