[发明专利]电介质层中粘附结构的产生以及结合粘附结构的器件在审
| 申请号： | 201310313031.8 | 申请日： | 2013-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN103579170A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | T.格利勒;U.黑德尼希;R.穆特;J.普拉格曼;H.舍恩赫尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 马永利;刘春元 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明公开了电介质层中粘附结构的产生以及结合粘附结构的器件。在本公开的各种方面中，一种半导体器件包括：至少一个半导体管芯；邻接所述半导体管芯的电介质层；在所述电介质层中形成的几何结构；以及在所述电介质层上沉积的导电层，其中所述导电层至少部分地位于所述几何结构上。 | ||
| 搜索关键词： | 电介质 粘附 结构 产生 以及 结合 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件结构，包括：至少一个半导体器件；邻接所述半导体器件的电介质层；在所述电介质层中形成的几何结构；以及在所述电介质层上沉积的导电层，其中所述导电层至少部分地位于所述几何结构上。
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