[发明专利]高功率高稳定性单模垂直腔面发射半导体激光器有效
| 申请号： | 201310313802.3 | 申请日： | 2013-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN103401142A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 宁永强;李秀山;王立军;刘云;秦莉;张星 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/024 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人： | 王丹阳 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 高功率高稳定性单模垂直腔面发射半导体激光器，属于激光器技术领域，解决了现有技术中单模激光器功率低、稳定性差的技术问题。本发明的半导体激光器包括p面电极、p型DBR台面、有源区、n型DBR、GaAs衬底和n面电极，所述p型DBR台面为多层结构，由交替排列的高折射率介质材料和低折射率介质材料组成，高折射率介质材料和低折射率介质材料的厚度均为四分之一光学波长，高折射率介质材料的宽度大于低折射率介质材料的宽度，低折射率介质材料的宽度等于出光孔的宽度，高折射率介质材料与低折射率介质材料的中心线在同一条直线上。本发明的单模半导体激光器具有较高的功率输出和模式可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 稳定性 单模 垂直 发射 半导体激光器 | ||
【主权项】：
高功率高稳定性单模垂直腔面发射半导体激光器，包括p面电极(1)、p型DBR台面(2)、有源区(3)、n型DBR(4)、GaAs衬底(5)和n面电极(6)，所述p型DBR台面(2)为多层结构，由交替排列的高折射率介质材料(21)和低折射率介质材料(22)组成，与p面电极(1)接触的为高折射率介质材料(21)，与有源区(3)接触的为低折射率介质材料(22)，高折射率介质材料(21)和低折射率介质材料(22)的厚度均为四分之一光学波长，其特征在于，高折射率介质材料(21)的宽度大于低折射率介质材料(22)的宽度，低折射率介质材料(22)的宽度等于出光孔的宽度，高折射率介质材料(21)与低折射率介质材料(22)的中心线在同一条直线上。
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