[发明专利]半导体器件和半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201310314067.8 | 申请日： | 2013-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN103715241A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 山田敦史 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/207;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 唐京桥;陈炜 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件和半导体器件的制造方法。根据本发明的半导体器件包括：形成在基片上的电子传输层；形成在电子传输层上的电子供给层；形成在电子供给层上的掺杂层，该掺杂层由其中掺杂有待成为p型的杂质元素和C的氮化物半导体形成；形成在掺杂层上的p型层，该p型层由其中掺杂有待成为p型的杂质元素的氮化物半导体形成；形成在p型层上的栅电极；以及形成在掺杂层或电子供给层上的源电极和漏电极。该p型层在栅电极紧下方的区域中形成，并且掺杂层中所掺杂的C的浓度大于或等于1×1017cm-3且小于或等于1×1019cm-3。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：形成在基片上的电子传输层；形成在所述电子传输层上的电子供给层；形成在所述电子供给层上的掺杂层，所述掺杂层由其中掺杂有待成为p型的杂质元素和C的氮化物半导体形成；形成在所述掺杂层上的p型层，所述p型层由其中掺杂有所述待成为p型的杂质元素的氮化物半导体形成；形成在所述p型层上的栅电极；以及形成在所述掺杂层或所述电子供给层上的源电极和漏电极，其中所述p型层在所述栅电极紧下方的区域中形成，并且在所述掺杂层中所掺杂的C的浓度大于或等于1×1017cm‑3且小于或等于1×1019cm‑3。
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