[发明专利]包括二极管的半导体装置和制造半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201310314298.9 | 申请日： | 2013-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN103579223A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 托尔斯滕·迈尔;安德烈亚斯·迈塞尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/861;H01L29/06;H01L21/822 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明公开了包括二极管的半导体装置和制造半导体装置的方法，该半导体装置包括第一导电类型的半导体主体中的晶体管单元阵列。所述半导体装置还包括所述晶体管单元阵列中在晶体管单元之间的第一沟槽。所述第一沟槽从第一侧面延伸到所述半导体主体并包括在侧壁电耦合至所述半导体主体的pn结二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 二极管 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：第一导电类型的半导体主体中的晶体管单元区域；所述晶体管单元区域中在晶体管单元之间的第一沟槽，其中所述第一沟槽从第一侧面延伸到所述半导体主体中并包括在侧壁电耦合至所述半导体主体的pn结二极管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
