[发明专利]场发射器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310314370.8 | 申请日： | 2013-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN103579026A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 阿尔方斯·德赫;卡斯滕·阿伦斯;安德烈·施门;达米安·索伊卡 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/488;H01L23/60 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明公开了场发射器件及其制造方法。在本发明的一个实施方式中，一种电子装置包括设置在基板中的第一发射极/集电极区域和第二发射极/集电极区域。所述第一发射极/集电极区域具有第一边缘/尖端，并且所述第二发射极/集电极区域具有第二边缘/尖端。一间隙分离所述第一边缘/尖端和所述第二边缘/尖端。所述第一发射极/集电极区域、所述第二发射极/集电极区域以及所述间隙形成场发射器件。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种电子装置，包括：第一发射极/集电极区域，所述第一发射极/集电极区域设置在基板中并具有第一边缘/尖端；第二发射极/集电极区域，所述第二发射极/集电极区域设置在所述基板中并具有第二边缘/尖端；以及间隙，分离所述第一边缘/尖端和所述第二边缘/尖端，所述第一发射极/集电极区域、所述第二发射极/集电极区域以及所述间隙形成第一场发射器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
