[发明专利]制造半导体装置的方法有效
申请号: | 201310314424.0 | 申请日: | 2013-07-24 |
公开(公告)号: | CN103681516A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 杉山道昭;木下顺弘 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/98 | 分类号: | H01L21/98;H01L21/60;H01L21/56 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 温旭;郝传鑫 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 通过在衬底的顶表面之上装配包括具有小直径的半导体芯片和具有大直径的半导体芯片的芯片层压制件形成的半导体装置中,防止过度的压力施加至这两个半导体芯片的接合点。通过在支撑衬底之上装配具有大直径的第一半导体芯片,然后在所述第一半导体芯片之上装配具有小直径的第二半导体芯片,可以:抑制装配在所述第一半导体芯片之上的第二半导体芯片的倾斜和不稳定;从而阻止过度的压力施加至所述第一半导体芯片和第二半导体芯片的接合点。 | ||
搜索关键词: | 制造 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种制造半导体装置的方法,包括如下步骤:(a)提供具有第一表面的支撑衬底;(b)在所述步骤(a)之后,将第一半导体芯片装配在所述支撑衬底的第一表面之上以便所述第一半导体芯片的第一背表面面向所述支撑衬底的第一表面,所述第一半导体芯片具有第一主表面、在所述第一主表面上形成的第一半导体元件、在所述第一主表面上形成的并且与所述第一半导体元件电连接的第一主表面焊盘、在所述第一主表面焊盘之上形成的第一导电部件、以及与所述第一主表面相反的所述第一背表面;(c)在所述步骤(b)之后,将第二半导体芯片装配在所述第一半导体芯片的第一主表面之上以便所述第二半导体芯片的第二背表面面向所述第一半导体芯片的第一主表面,并且通过所述第一导电部件将所述第一半导体芯片的第一主表面焊盘与所述第二半导体芯片的第二背表面焊盘电连接,所述第二半导体芯片具有第二主表面、在所述第二主表面上形成的第二半导体元件、在所述第二主表面之上形成的并且与所述第二半导体元件电连接的第二主表面焊盘、在所述第二主表面焊盘之上形成的第二导电部件、与所述第二主表面相反的第二背表面、以及在所述第二背表面上形成的且与所述第二主表面焊盘电连接的第二背表面焊盘,其中,所述第二半导体芯片的外形尺寸比所述第一半导体芯片的外形尺寸小;(d)在所述步骤(c)之后,使用密封材料密封所述第一半导体芯片、所述第二半导体芯片、和所述第二导电部件,以便所述第二导电部件不从所述密封材料中暴露;(e)在所述步骤(d)之后,在所述支撑衬底的第一表面之上布置基部衬底以便所述基部衬底的第三表面面向所述支撑衬底的第一表面,使用所述密封材料固定所述基部衬底,以及将所述基部衬底的焊接引线与所述第二半导体芯片的第二导电部件电连接,所述基部衬底具有所述第三表面、在所述第三表面上形成的多个所述焊接引线、与所述第三表面相反的第四表面、以及在所述第四表面上形成的多个隆起连接盘;以及(f)在所述步骤(e)之后,在所述基部衬底的各个隆起连接盘处布置外部端子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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