[发明专利]一种高电源抑制比的带隙基准电压源有效

专利信息
申请号: 201310314616.1 申请日: 2013-07-24
公开(公告)号: CN103389769A 公开(公告)日: 2013-11-13
发明(设计)人: 徐申;田野;于花;钟锐;刘斯扬;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 江苏永衡昭辉律师事务所 32250 代理人: 王斌
地址: 210096*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种高电源抑制比的带隙基准电压源,包括带隙基准核心电路、电源纹波前馈电路、折叠共源共栅运放电路、偏置电路和启动电路,启动电路检测输出基准电压为偏置电路和带隙基准核心电路提供启动信号,偏置电路将偏置电压输出至折叠共源共栅运放电路和电源纹波前馈电路,电源纹波前馈电路将带隙基准核心电路提供的电源纹波信号前馈至折叠共源共栅运放电路,折叠共源共栅运放电路将带隙基准核心电路和折叠共源共栅运放电路的差模电压放大后输出至带隙基准核心电路,最后,带隙基准核心电路输出带隙基准电压Vref。
搜索关键词: 一种 电源 抑制 基准 电压
【主权项】:
一种高电源抑制比的带隙基准电压源,其特征在于:包括带隙基准核心电路、电源纹波前馈电路、折叠共源共栅运放电路、偏置电路和启动电路,启动电路检测输出基准电压,当基准电压不正常时为偏置电路和带隙基准核心电路提供启动信号,偏置电路将偏置电压输出至折叠共源共栅运放电路和电源纹波前馈电路,电源纹波前馈电路将带隙基准核心电路提供的电源纹波信号前馈至折叠共源共栅运放电路,折叠共源共栅运放电路将带隙基准核心电路和折叠共源共栅运放电路的差模电压放大后输出至带隙基准核心电路,最后,带隙基准核心电路输出带隙基准电压Vref;其中:带隙基准核心电路包括PMOS管M1、M2,三极管Q1、Q2以及电阻R1及R2,PMOS管M1和M2的源极均连接电源VDD,PMOS管M1与M2的栅极互连并与PMOS管M1的漏极、三极管Q1的集电极连接,PMOS管M2的漏极连接三极管Q2的集电极,三极管Q1与三极管Q2的基极互连,三极管Q1的发射极与三极管Q2的发射极连接电阻R1,三极管Q2的发射极通过电阻R2接地;电源纹波前馈电路包括PMOS管M30、M31、M32,NMOS管M33、M34,电阻R3、R4及电容C1,PMOS管M30的源极连接电源VDD,PMOS管M30的漏极分别连接PMOS管M31、M32的源极,PMOS管M31的栅极连接带隙基准核心电路中三极管Q2的集电极,PMOS管M31的漏极与NMOS管M33的漏极、NMOS管M33的栅极以及NMOS管M34的栅极连接在一起,PMOS管M32的栅极与电阻R3、R4及电容C1的一端连接在一起,电阻R3及电容C1的另一端连接PMOS管M32的漏极和NMOS管M34的漏极,NMOS管M33、M34的源极以及电阻R4的另一端均接地;折叠共源共栅运放电路包括PMOS管M3、M4、M5、M6,NMOS管M7、M8、M9、M10、M11、M12、M13,PMOS管M3及M4的源极连接电源VDD,PMOS管M3和M4的栅极互连并与电源纹波前馈电路中PMOS管M30的栅极连接,PMOS管M3的漏极连接PMOS管M5的源极和NMOS管M11的漏极,PMOS管M4的漏极连接PMOS管M6的源极和NMOS管M12的漏极,NMOS管M11的栅极连接电源纹波前馈电路中PMOS管M32的漏极,NMOS管M12的栅极连接带隙基准核心电路中三极管Q1的集电极,NMOS管M11和M12的源极互连并连接NMOS管M13的漏极,PMOS管M5与M6的栅极互连,PMOS管M5的漏极连接NMOS管M7的漏极和NMOS管M9、M10的栅极,PMOS管M6的漏极连接NMOS管M8的漏极和带隙基准核心电路中三极管Q1与三极管Q2的基极互连端,NMOS管M7与M8的栅极互连并与NMOS管M13的漏极连接,NMOS管M7的源极连接NMOS管M9的漏极,NMOS管M8的源极连接NMOS管M10的漏极,NMOS管M9、M10、M13的源极均接地;偏置电路包括PMOS管M14、M18、M20、M21、M24,NMOS管M15、M16、M17、M19、M22、M23和电阻R5,PMOS管M14、M18、M20、M21、M24的源极均连接电源VDD,PMOS管M14的栅极与漏极互连并连接NMOS管M17的漏极和折叠共源共栅运放电路中PMOS管M5和M6的栅极,PMOS管M18的栅极与PMOS管M20的栅极、PMOS管M21的漏极、NMOS管M22的漏极、PMOS管M21和M24的栅极连接在一起并与电源纹波前馈电路中PMOS管M30的栅极连接,PMOS管M18的漏极连接NMOS管M15的漏极和栅极并与折叠共源共栅运放电路中NMOS管M13的漏极连接,NMOS管M15的源极连接NMOS管M16的漏极和M16、M17的栅极,PMOS管M20的漏极连接NMOS管M19的漏极和栅极并与折叠共源共栅运放电路中NMOS管M13的栅极连接,PMOS管M22的源极连接NMOS管M23的栅极和电阻R5的一端,PMOS管M22的栅极连接NMOS管M23的漏极和PMOS管M24的漏极,NMOS管M16、M17、M19、M23的源极以及电阻R5的另一端均接地;启动电路包括PMOS管M27、M28,NMOS管M25、M26、M29,PMOS管M27的源极连接电源VDD,PMOS管M27的栅极与漏极互连并连接PMOS管M28的源极,PMOS管M28的栅极与NMOS管M29的栅极以及带隙基准核心电路中三极管Q1与三极管Q2的基极互连端,,PMOS管M28的漏极与NMOS管M29的漏极、NMOS管M25的栅极、NMOS管M26的栅极连接在一起,NMOS管M25的漏极连接偏置电路中PMOS管M21和M24的栅极,NMOS管M26的漏极连接带隙基准核心电路中三极管Q1的集电极,NMOS管M25、M26、M29的源极均接地。
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