[发明专利]一种高频低功耗的功率MOS场效应管器件在审
| 申请号： | 201310314820.3 | 申请日： | 2013-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN104241341A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 俞国庆;吴勇军 | 申请（专利权）人： | 俞国庆 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/78;H01L29/739 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215126 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高频低功耗的功率MOS场效应管器件，在第一导电类型的外延层(2)内刻蚀沟槽，并在该沟槽内填充厚氧化硅层(7)和多晶硅(6)的混合填充物，从而形成具有提升耐压功能的场结构，沟槽的深度与外延层的厚度比在0.5～0.8范围内，形成的场结构反向低电压时完全耗尽，形成高阻层，与外延层共同组成电压支持层，主要利用电荷补偿原理，来维持器件的反向耐压。本发明所述的高频低功耗的功率MOS场效应管器件，可降低功率MOS场效应管的导通电阻，提高器件的工作频率，改善功率MOS场效应管的反向恢复时间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高频 功耗 功率 mos 场效应 器件 | ||
【主权项】：
一种高频低功耗的功率MOS场效应管器件，其特征在于，包括：位于硅片背面的第一导电类型的衬底层(1)，位于所述第一导电类型的衬底层(1)上方的第一导电类型的外延层(2)，位于所述第一导电类型的外延层(2)内上部的第二导电类型的阱层(3)，若干沟槽(4)，各沟槽(4)均穿过所述第二导电类型的阱层(3)并延伸至第一导电类型的外延层(2)内，在沟槽(4)内装填有填充物(5)，沟槽(4)与所述第一导电类型的外延层(2)之间设有第二导电类型的扩散区，沟槽(4)的开口处设有绝缘介质层(12)，相邻的绝缘介质层(12)之间留有间隙(13)，金属层(14)覆盖在绝缘介质层(12)及第一导电类型的外延层(2)之上，在所述第二导电类型的阱层(3)内上部且位于所述沟槽(4)开口的周边设有第一导电类型的源极区(8)，第一导电类型的源极区(8)的一部分位于间隙(13)处，另一部分位于绝缘介质层(12)内，第一导电类型的源极区(8)与第一导电类型的外延层(2)之间的第二导电类型的阱层(3)区域作为沟道区(9)。
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